IRF7665S2

A 100V Digital Audio Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SB package rated at 14.4 amperes.
データシート

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IRF7665S2
IRF7665S2
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    14.4 A
  • Ptot (最大)
    30 W
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.4 W
  • Qgd
    3.2 nC
  • QG (typ @10V)
    8.3 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    62 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) (範囲)
    3 V ～ 5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET SB
  • マイクロステンシル
    IRF66SB-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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