IRF6811S

A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 19 amperes optimized with low on resistance.
データシート

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IRF6811S
IRF6811S
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    74 A
  • Ptot (最大)
    32 W
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.1 W
  • Qgd
    4.2 nC
  • QG (typ @4.5V)
    11 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    5.4 mΩ
  • RthJC (最大)
    3.9 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) (範囲)
    1.1 V ～ 2.1 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • VGS (最大)
    16 V
  • パッケージ
    DirectFET SQ
  • マイクロステンシル
    IRF66SQ-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • 100% Rg tested
  • Low Profile (less than 0.7 mm)
  • Dual Sided Cooling
  • Optimized for Control FET Applications
  • Low Conduction Losses
  • Optimized for High Frequency Switching
  • Low Package Inductance

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }