IRF3315S

データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF3315S
IRF3315S
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    21 A
  • Ptot max
    94 W
  • Qgd
    31.3 nC
  • QG (typ @10V)
    63.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    82 mΩ
  • RthJC max
    1.6 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz
  • Industry standard surface-mount power package
  • High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)
  • Capable of being wave-soldered

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }