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IR2118
生産終了
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IR2118

生産終了
600 V single high-side gate driver IC with single input
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IR2118
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製品仕様情報

  • VBS UVLO (On)
    8.6 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.6 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • 伝搬遅延オフ
    105 ns
  • 伝搬遅延オン
    125 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V～20 V
  • 出力電流 (Sink)
    0.5 A
  • 出力電流 (Source)
    0.25 A
  • 絶縁方式
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V

OPN
IR2118PBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PDIP8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
TW,US
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PDIP8
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
TW,US
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600 V High Side Driver IC with typical 0.25 A source and 0.5 A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC.

特長

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervoltage lockout
  • CMOS Schmitt-triggered inputs
  • With pull-down
  • Output in phase with input IR2117
  • Or out of phase with input IR2118

利点

  • Bootstrap operation removes the need for an isolated high-side supply: smaller PCB area and lower BOM
  • Inverting input suits active-low control signals without extra logic
  • Easy-to-use, straightforward to design in

アプリケーション

図

Circuit_Diagramm_IR2118
Circuit_Diagramm_IR2118
Circuit_Diagramm_IR2118
×
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ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

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