IPP12CN10L G

データシート

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IPP12CN10L G
IPP12CN10L G
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    4210 pF
  • Coss
    528 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    69 A
  • IDpuls (最大)
    276 A
  • Ptot (最大)
    125 W
  • QG (typ @10V)
    58 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    12 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    15.8 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) (最大)
    15.8 mΩ
  • Rth
    1.2 K/W
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) (範囲)
    1.2 V ～ 2.4 V
  • VGS(th)
    1.84 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.68
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).

特長

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest R DS(on)
  • Low Q g and Q gd
  • Excellent gate charge
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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