IPL65R165CFD
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IPL65R165CFD

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パッケージ

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IPL65R165CFD
IPL65R165CFD
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    21.3 A
  • ID (最大)
    21.3 A
  • IDpuls (最大)
    67 A
  • Ptot (最大)
    195 W
  • QG
    86 nC
  • QG (typ @10V)
    86 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    165 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    165 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.64 K/W
  • Rth
    0.64 K/W
  • VDS (最大)
    650 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Thin-PAK 8x8, Thin-PAK 8x8
  • ピン数
    5 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.53
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPL65R165CFDAUMA2
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-VSON-4
パッケージ名 Thin-PAK 8x8
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2a
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VSON-4
パッケージ名 Thin-PAK 8x8
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2a
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7 650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.

特長

  • 650 V with integrated fast body diode
  • Low voltage overshoot in hard switching
  • Significant Q G reduction
  • Tighter R DS(on)max to R DS(on)typ window
  • Easy to design-in

利点

  • Low switching losses due to low Q rr
  • Self limiting di/dt and dv/dt
  • Low Qoss
  • Reduced turn on and turn of delay times
  • Outstanding CoolMOS™ quality
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ