IPD046N08N5
アクティブ
RoHS対応

IPD046N08N5

Industry leading technology for telecom applications
データシート
パッケージ
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在庫あり

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IPD046N08N5
IPD046N08N5
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データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    90 A
  • IDpuls (最大)
    360 A
  • Ptot (最大)
    125 W
  • Qgd
    9 nC
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.6 mΩ
  • RthJA (最大)
    75 K/W
  • RthJC (最大)
    1.2 K/W
  • Rth
    0.7 K/W
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.86
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

推奨
OPN
IPD046N08N5ATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT,DE,MY
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT,DE,MY
個.
在庫あり
OptiMOS™ 5 80V , Infineon’s latest generation of power MOSFETs, are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, these devices can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters. Within eight different packages, OptiMOS™ 5 80V MOSFETs offer the industry’s lowest R DS(on).

特長

  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high switching frequency
  • Capacitance improvement of up to 44%
  • 43% lower Rds(on) vs. previous gen

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Low voltage overshoot

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ