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IPD046N08N5

Industry leading technology for telecom applications
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パッケージ

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IPD046N08N5
IPD046N08N5
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    90 A
  • IDpuls max
    360 A
  • Ptot max
    125 W
  • Qgd
    9 nC
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4.6 mΩ
  • RthJA max
    75 K/W
  • RthJC max
    1.2 K/W
  • Rth
    0.7 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.86
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPD046N08N5ATMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
OptiMOS™ 5 80V , Infineon’s latest generation of power MOSFETs, are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, these devices can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters. Within eight different packages, OptiMOS™ 5 80V MOSFETs offer the industry’s lowest R DS(on).

機能

  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high switching frequency
  • Capacitance improvement of up to 44%
  • 43% lower Rds(on) vs. previous gen

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Low voltage overshoot

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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