Active and preferred
RoHS準拠

IPB339N20NM6

OptiMOS™ 6パワーMOSFET 200 Vノーマルレベル、D2PAKパッケージ
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPB339N20NM6
IPB339N20NM6
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    39 A
  • QG (typ @10V)
    15.9 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    33.9 mΩ
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    3.7 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • 予算価格€/ 1k
    1.32
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPB339N20NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
IPB339N20NM6 OptiMOS™ 6 200 Vは、新しい技術標準を確立します。本製品は高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応します。 OptiMOS™ 6 200 Vテクノロジーは、LEV、フォークリフト、ドローンなどのモーター駆動アプリケーションにおいて、最適な性能を発揮するように設計されています。新しいOptiMOS™ 6は、業界をリードする RDS(on)、高いスイッチング性能および電流分配機能が特長としており、高い電力密度、並列接続の低減、優れたEMI性能を実現します。 OptiMOS™ 6 200 Vファミリーは、高いスイッチング性能を備えているため、通信、サーバー、太陽光発電、オーディオなど、あらゆるタイプのスイッチング アプリケーションに最適です。さらに、広いSOAと業界をリードするRDS(on)の組み合わせは、BMSなどの静的スイッチング アプリケーションに最適です。

機能

  • RDS(on)を42 %低減
  • Qrr(typ)を89 %低減
  • ダイオードのソフトリカバリ特性が3倍向上
  • 高いキャパシタンス直線性
  • SOAの向上
  • 鉛フリーめっき、RoHS準拠

利点

  • 低導通損失
  • 低スイッチング損失
  • 優れたEMI性能による安定動作
  • 並列接続の必要性を低減
  • 並列動作時の優れた電流分配
  • 環境に優しい製品

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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