IPB339N20NM6
Active and preferred
RoHS対応

IPB339N20NM6

OptiMOS™ 6パワーMOSFET 200 Vノーマルレベル、D2PAKパッケージ
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPB339N20NM6
IPB339N20NM6
個.
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    39 A
  • QG (typ @10V)
    15.9 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    33.9 mΩ
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4.5 V
  • VGS(th)
    3.7 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • 予算価格€/ 1k
    1.32
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

推奨
OPN
IPB339N20NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MX,MY
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MX,MY
ウェハ製造国
AT
個.
在庫あり
IPB339N20NM6 OptiMOS™ 6 200 Vは、新しい技術標準を確立します。本製品は高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応します。 OptiMOS™ 6 200 Vテクノロジーは、LEV、フォークリフト、ドローンなどのモーター駆動アプリケーションにおいて、最適な性能を発揮するように設計されています。新しいOptiMOS™ 6は、業界をリードする RDS(on)、高いスイッチング性能および電流分配機能が特長としており、高い電力密度、並列接続の低減、優れたEMI性能を実現します。 OptiMOS™ 6 200 Vファミリーは、高いスイッチング性能を備えているため、通信、サーバー、太陽光発電、オーディオなど、あらゆるタイプのスイッチング アプリケーションに最適です。さらに、広いSOAと業界をリードするRDS(on)の組み合わせは、BMSなどの静的スイッチング アプリケーションに最適です。

特長

  • RDS(on)を42 %低減
  • Qrr(typ)を89 %低減
  • ダイオードのソフトリカバリ特性が3倍向上
  • 高いキャパシタンス直線性
  • SOAの向上
  • 鉛フリーめっき、RoHS準拠

利点

  • 低導通損失
  • 低スイッチング損失
  • 優れたEMI性能による安定動作
  • 並列接続の必要性を低減
  • 並列動作時の優れた電流分配
  • 環境に優しい製品

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ