Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMSQ120R040M2HH

CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V in top-side cooled Q-DPAK dual half-bridge package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IMSQ120R040M2HH
IMSQ120R040M2HH
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    1310 pF
  • Coss
    55 pF
  • ID (@25°C) max
    48 A
  • Ptot max
    218 W
  • Qgd
    10 nC
  • QG
    39 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    40 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.69 K/W
  • Tj max
    200 °C
  • VDS max
    1200 V
  • パッケージ
    PG-HDSOP-16
  • ピン数
    4 Pins
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMSQ120R040M2HHXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 N/A
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 -
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 26 mΩ G2 in a top-side cooled Q-DPAK dual half-bridge package specifically designed for wide use in industrial application, including, industrial drives, EV charging solutions, solar systems and uninterruptible power supply. The Q-DPAK provides customers with a reduced system cost by enabling easier assembly with outstanding thermal performance. Compared to bottom-side cooled solutions, top-side cooled devices enable a more optimized PCB layout, which in turn reduces the effects of parasitic components and stray inductances, while also providing enhanced thermal management capabilities.
The top-side cooled Q-DPAK Dual half-bridge package is introducing a new era in cooling, energy efficiency, design flexibility and performance.

機能

  • VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
  • IDDC = 40 A at TC = 100°C
  • RDS(on) = 40 mΩ, VGS = 18 V, Tvj = 25°C
  • Very low switching losses
  • Overload operation up to Tvj = 200°C 
  • Short circuit withstand time 2 µs
  • Benchmark gate threshold voltage 4.2 V
  • Robust against parasitic turn on
  • Robust body diode for hard commutation
  • .XT interconnection technology 

利点

  • Higher power density
  • Enabling automated assembly
  • Less complex designs needed
  • Outstanding thermal performance vs BSC
  • Improve system power losses
  • Enable a VRMS of 950 V with PD 2
  • Lower TCO cost or BOM cost

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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