Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IKWH75N65EH7

650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IKWH75N65EH7
IKWH75N65EH7
EA.
データシート

Product details

  • Eoff
    1.6 mJ
  • Eon
    3.9 mJ
  • IC (@ 25°) max
    80 A
  • IC (@ 100°) max
    80 A
  • ICpuls max
    300 A
  • IF max
    80 A
  • IFpuls max
    300 A
  • Irrm
    47.2 A
  • Ptot max
    341 W
  • QGate
    150 nC
  • Qrr
    4300 nC
  • td(off)
    218 ns
  • td(on)
    26 ns
  • tf
    60 ns
  • tr
    45 ns
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE max
    650 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • VGE(th)
    3.85 V
  • スイッチング周波数
    16 kHz to 100 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3-HCC
  • 技術
    TRENCHSTOP™ IGBT7
推奨
OPN
IKWH75N65EH7XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 N/A
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 -
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Hard-switching 650 V, 75 A TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 discrete in TO-247-3 High Creepage Clearance (HCC) package technology has been developed to fulfill the demand in green & efficient energy applications, while also offering significant improvements over its predecessor generations.

機能

  • Excellent VCE(sat) behavior thanks to our famous TRENCHSTOP™ technology
  • Very soft, fast recovery antiparallel diode
  • Offering Tj(max) of 175°C
  • Optimized for hard switching, two and three level topologies

利点

  • Technology with the high power density with up to 150 A rating
  • Optimized performance in application conditions
  • Lowest conduction losses
  • Lowest switching losses
  • Humidity robustness under harsh environment
  • Improved EMI performance

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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