IKWH75N65EH7
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IKWH75N65EH7

650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IKWH75N65EH7
IKWH75N65EH7
個.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff
    1.6 mJ
  • Eon
    3.9 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    80 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    80 A
  • ICpuls (最大)
    300 A
  • IF (最大)
    80 A
  • IFpuls (最大)
    300 A
  • Irrm
    47.2 A
  • Ptot (最大)
    341 W
  • QGate
    150 nC
  • Qrr
    4300 nC
  • td(off)
    218 ns
  • td(on)
    26 ns
  • tf
    60 ns
  • tr
    45 ns
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • VGE(th)
    3.85 V
  • スイッチング周波数 範囲
    16 kHz～100 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3-HCC
  • 技術
    TRENCHSTOP™ IGBT7
推奨
OPN
IKWH75N65EH7XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 -
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Hard-switching 650 V, 75 A TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 discrete in TO-247-3 High Creepage Clearance (HCC) package technology has been developed to fulfill the demand in green & efficient energy applications, while also offering significant improvements over its predecessor generations.

特長

  • Excellent VCE(sat) behavior thanks to our famous TRENCHSTOP™ technology
  • Very soft, fast recovery antiparallel diode
  • Offering Tj(max) of 175°C
  • Optimized for hard switching, two and three level topologies

利点

  • Technology with the high power density with up to 150 A rating
  • Optimized performance in application conditions
  • Lowest conduction losses
  • Lowest switching losses
  • Humidity robustness under harsh environment
  • Improved EMI performance
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ