Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IGI65D1414A3MS

Two 140 mΩ / 650 V GaN tranistors in half-bridge configuration
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IGI65D1414A3MS
IGI65D1414A3MS
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • RDS (on) (typ)
    140 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • パッケージ
    QFN-32
  • ファミリー
    CoolGaN™ Transistor Dual 650 V G5
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IGI65D1414A3MSXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TIQFN-32
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TIQFN-32
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
IGI65D1414A3MS combines a half-bridge power stage consisting of two 140 mΩ(RDS(on) typ.) / 650 V enhancement mode CoolGaN™ Transistors in a small 6x8 mm QFN-32 package. This product is ideally suited to enable high-power density designs of AC-DC chargers and adapters, low-power motor drives and lighting applications, utilizing the superior switching behavior of CoolGaN™ Transistors.

機能

  • Ultra-fast switching
  • No reverse-recovery charge
  • Capable of reverse conduction
  • Low gate charge
  • Low output charge
  • Kelvin source connection

利点

  • 2x reduced component count vs. discrete
  • Reduced cost
  • Reduced weight
  • Reduced system complexity

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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