IGI65D1414A3MS
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IGI65D1414A3MS

Two 140 mΩ / 650 V GaN tranistors in half-bridge configuration
データシート
パッケージ
ボード
個.
在庫あり

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IGI65D1414A3MS
IGI65D1414A3MS
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • ID (@25°C) (最大)
    13.7 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    23 A
  • QG
    1.8 nC
  • RDS (on) (typ)
    140 mΩ
  • VDS (最大)
    650 V
  • パッケージ
    QFN-32
  • ファミリー
    CoolGaN™ Transistor Dual 650 V G5
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IGI65D1414A3MSXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TIQFN-32
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TIQFN-32
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
IGI65D1414A3MS combines a half-bridge power stage consisting of two 140 mΩ(RDS(on) typ.) / 650 V enhancement mode CoolGaN™ Transistors in a small 6x8 mm QFN-32 package. This product is ideally suited to enable high-power density designs of AC-DC chargers and adapters, low-power motor drives and lighting applications, utilizing the superior switching behavior of CoolGaN™ Transistors.

特長

  • Ultra-fast switching
  • No reverse-recovery charge
  • Capable of reverse conduction
  • Low gate charge
  • Low output charge
  • Kelvin source connection

利点

  • 2x reduced component count vs. discrete
  • Reduced cost
  • Reduced weight
  • Reduced system complexity

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }