IDW10G120C5B
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IDW10G120C5B

1200 V Silicion Carbide Schottky diode in TO-247-3 package
データシート
パッケージ
複数のOPNを利用可能
個.

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IDW10G120C5B
IDW10G120C5B
個.
データシート


製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    140 A
  • IF (最大)
    10 A
  • IR
    6 µA
  • Ptot (最大)
    148 W
  • QC
    57 nC
  • RthJC
    0.8 K/W
  • VF
    1.4 V
  • パッケージ
    PG-TO247-3
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
IDW10G120C5BFKSA1 IDW10G120C5BXKSA1
製品ステータス active and preferred active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247 TO247
梱包サイズ 240 240
梱包形態 TUBE TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA N/A
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー No Yes
RoHS対応 Yes Yes
組立国
CN
-
ウェハ製造国
AT
-
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
AT
個.
在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国 -
ウェハ製造国 -
The CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 10 A in a TO-247-3 package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point.

特長

  • Best-in-class forward voltage (VF)
  • No reverse recovery charge
  • Mild positive temp. depend. of VF
  • Best-in-class surge current capab.
  • Excellent thermal performance
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ