Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IDW10G120C5B

1200 V Silicion Carbide Schottky diode in TO-247-3 package
データシート
パッケージ
ボード
複数のパッケージが利用可能
EA.

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IDW10G120C5B
IDW10G120C5B
EA.
データシート

Product details

  • I(FSM) max
    140 A
  • IF max
    10 A
  • IR
    6 µA
  • Ptot max
    148 W
  • QC
    57 nC
  • RthJC
    0.8 K/W
  • VF
    1.4 V
  • パッケージ
    PG-TO247-3
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IDW10G120C5BFKSA1 IDW10G120C5BXKSA1
製品ステータス active and preferred active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247 TO247
包装サイズ 240 240
包装形態 TUBE TUBE
水分レベル NA N/A
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー No Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 10 A in a TO-247-3 package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point.

機能

  • Best-in-class forward voltage (VF)
  • No reverse recovery charge
  • Mild positive temp. depend. of VF
  • Best-in-class surge current capab.
  • Excellent thermal performance

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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