IDB18E120
新規設計非推奨
RoHS対応

IDB18E120

パッケージ

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IDB18E120
IDB18E120

製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    78 A
  • IF (最大)
    31 A
  • IF
    18 A
  • IR (最大)
    100 µA
  • Irrm
    20.2 A
  • Ptot (最大)
    113 W
  • Qrr
    1880 nC
  • RthJC (最大)
    1.1 K/W
  • trr
    195 ns
  • VF (最大)
    2.15 V
  • VF
    1.65 V
  • コンフィギュレーション
    Single
  • パッケージ
    TO-220
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V
OPN
IDB18E120ATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The 1200 V, 18 A emitter controlled silicon power diode in a D2PAK TO-263 package displays excellent softness and VF behaviour and is qualified with a T j(max) of 150°C. The diodes are also available halogen-free according to IEC61249-2-21.

特長

  • Lowest VF values
  • Softest diodes avail. on the market
  • Tj(max) of 175°C
  • Qualified according to JEDEC
  • Cooler packages & higher efficiency
  • Excellent EMI behavior
  • Excellent cost/perform. trade-off
  • Low conduction losses
  • Easy paralleling

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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