これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。 これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。
代替品を表示
IDB18E120
生産終了
生産終了
RoHS対応

IDB18E120

生産終了
データシート
パッケージ
代替品を表示

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IDB18E120
IDB18E120
代替品を表示
データシート


製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    78 A
  • IF (最大)
    31 A
  • IF
    18 A
  • IR (最大)
    100 µA
  • Irrm
    20.2 A
  • Ptot (最大)
    113 W
  • Qrr
    1880 nC
  • RthJC (最大)
    1.1 K/W
  • trr
    195 ns
  • VF (最大)
    2.15 V
  • VF
    1.65 V
  • コンフィギュレーション
    Single
  • パッケージ
    TO-220
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V

OPN
IDB18E120ATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
MY
代替品を表示

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
MY
代替品を表示
The 1200 V, 18 A emitter controlled silicon power diode in a D2PAK TO-263 package displays excellent softness and VF behaviour and is qualified with a T j(max) of 150°C. The diodes are also available halogen-free according to IEC61249-2-21.

特長

  • Lowest VF values
  • Softest diodes avail. on the market
  • Tj(max) of 175°C
  • Qualified according to JEDEC
  • Cooler packages & higher efficiency
  • Excellent EMI behavior
  • Excellent cost/perform. trade-off
  • Low conduction losses
  • Easy paralleling

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ