Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM25V20A-DGQTR

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM25V20A-DGQTR
FM25V20A-DGQTR

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 105 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ~ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ~ 3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
FM25V20A-DGQTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DFN-8 (001-85579)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DFN-8 (001-85579)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
FM25V20A-DGQTRは2 Mbit(256 K × 8)シリアル強誘電体RAM(F-RAM)で、SPIインターフェースを採用し、高耐久の不揮発性ストレージ向けに設計されています。2.0 V~3.6 V動作、最大33 MHzクロック、10^14回の読書き耐性、85°Cで121年のデータ保持を実現。NoDelay™高速書き込み、低消費電力、–40°C~+105°Cの拡張温度範囲、8ピンDFNパッケージで、産業用やデータロギング、制御など頻繁かつ迅速・信頼性の高いデータ更新用途に最適です。

特長

  • 2-Mbit F-RAM、256 K x 8構成
  • 10^14回の読書き耐久性
  • 85°Cで121年データ保持
  • NoDelay™リアルタイム書込
  • 最大33 MHzのSPIインターフェース
  • 低消費電力:3.0 mA動作、12 µAスリープ
  • VDD動作範囲2.0–3.6 V
  • 拡張温度:–40°C~+105°C
  • 多層ハード/ソフト書込保護
  • バス速度で順次読書き
  • シリアルフラッシュ/EEPROM互換
  • メーカー・製品ID搭載

利点

  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • 書込遅延ゼロで即時保存
  • 多書込用途でも摩耗なし
  • 高温下でも長期データ保持
  • SPI高速でシステム効率向上
  • 動作/スリープで省エネ
  • 2.0–3.6 V設計に柔軟対応
  • 過酷環境でも安定動作
  • 誤操作からデータを保護
  • フラッシュ/EEPROM置換容易
  • デバイス認証を実現
  • 長寿命・メンテ不要を実現

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }