Active and preferred
RoHS準拠

F3L11MR12W2M1HP_B19

CoolSiC™ MOSFET 3-level module 1200 V
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

F3L11MR12W2M1HP_B19
F3L11MR12W2M1HP_B19
EA.
データシート

Product details

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    10.8 mΩ
  • アプリケーション
    UPS, Solar, EV Charger, ESS
  • コンフィギュレーション
    Sixpack
  • パッケージ
    Easy 2B
  • 寸法 (length)
    62.8 mm
  • 寸法 (width)
    48 mm
  • 特長
    PressFIT, TIM
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
AG-EASY2B
パッケージ名 N/A
包装サイズ 18
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
AG-EASY2B
パッケージ名 -
包装サイズ 18
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET 3-level module in NPC2 topology 1200 V, 11mΩ G1 with NTC, pre-applied thermal interface material (TIM) and PressFIT contact technology.

機能

  • Best-in-class packages with 12 mm height
  • Leading edge WBG material
  • Very low module stray inductance
  • Enhanced CoolSiC™ MOSFET Gen 1
  • Enlarged gate drive voltage window
  • Gate-source voltages of +23 V and -10 V
  • Tvjop under overload condition up to 175°C
  • PressFIT pins
  • Integrated NTC temperature sensor
  • Thermal Interface Material (TIM)

利点

  • Outstanding module efficiency
  • System cost advantages
  • System efficiency improvement
  • Reduced cooling requirements
  • Enabling higher frequency
  • Increase of power density

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }