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CYRS16B256-133FZMB

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CYRS16B256-133FZMB
CYRS16B256-133FZMB
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2030
  • Density
    256 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • デバイスの重量
    3878.7 mg
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    FL-L
  • リードボール仕上げ
    Ni/Au
  • 動作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 動作電圧
    2.7 V to 3.6 V
  • 周波数
    133 MHz
  • 組織 (X x Y)
    x4
  • 認定
    Military
推奨
OPN
CYRS16B256-133FZMB
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
CG-FP-36
パッケージ名 FLATPACK-36 (002-26946)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
CG-FP-36
パッケージ名 FLATPACK-36 (002-26946)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
インフィニオンの耐放射線シリアルNORフラッシュ ファミリーは、QML-V相当の認定を受けた高性能で小型のメモリ デバイスを提供します。当社のrad tol NORフラッシュ メモリは、ピン数が少なく、消費電力が低く、通常のシリアル フラッシュ デバイスを超える柔軟性、信頼性、性能を提供します。業界標準のQSPIインターフェースは、幅広いエコシステムのサポートにより高性能かつ使いやすくなっています。飛行装置については、CYRS16B256-133FZMBを注文してください。

機能

  • 256 Mb密度
  • QSPIインターフェース
  • 50MHz SDR（読み取り）クロックレート
  • 133MHz SDR高速デュアルクワッド読み取りクロックレート
  • 66MHz DDR（クアッドリード）クロックレート
  • 1000回のプログラム/セクター消去耐久性サイクル
  • 100年間のデータ保持
  • 64 KByteのセクター消去時間 (標準) は 270 ミリ秒
  • 動作電圧2.7 V～3.6 V
  • 低動作電流（最大10mA）
  • –55°C～+125°C の軍用温度グレード
  • 36ピン セラミック フラット パック

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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