CY7C25442KV18-333BZI
Active and preferred

CY7C25442KV18-333BZI

データシート
パッケージ

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CY7C25442KV18-333BZI
CY7C25442KV18-333BZI
データシート

製品仕様情報

  • Density
    72 MBit
  • ECC
    N
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    Y
  • アーキテクチャ
    QDR-II+, ODT
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    2
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-II+, ODT
  • リードボール仕上げ
    Sn/Pb
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～1.9 V
  • 周波数
    333 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 36
  • 認定
    Industrial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    2
推奨
OPN
CY7C25442KV18-333BZI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
P-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 272
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
P-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 272
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C25442KV18-333BZIは72-MbitのQDR II+同期パイプラインSRAM（2M×36）で、独立した読出し/書込みポートにより同時トランザクションに対応します。333 MHz動作でDDR転送は666 MHz、2.0サイクルのリードレイテンシ（DOFF High）をサポートし、D、BWS、K/K入力にODTを内蔵します。165ボールFBGAで、VDD 1.7～1.9 V、VDDQ 1.4 V～VDD、-40～85°Cで動作します。

特長

  • QDR II+ SRAM 2.0サイクル
  • 333 MHz、DDR 666 MHz
  • 独立した読出/書込ポート
  • 2ワード・バースト方式
  • 入力クロックKとKの2系統
  • CQ/CQエコークロック出力
  • QVLDで出力データ有効表示
  • D/BWS/K/K入力にODT内蔵
  • PLLでデータ配置を最適化
  • JTAG IEEE 1149.1対応
  • VDD電源 1.7 V～1.9 V
  • VDDQ電源 1.4 V～VDD

利点

  • バス切替不要で高スループット
  • 333/666 MHzで高帯域化
  • 読出/書込同時で渋滞低減
  • バーストでアドレス低減
  • 2クロックでDDR設計が容易
  • エコークロックで捕捉が容易
  • QVLDでタイミング検証が楽
  • ODTで外付け部品と面積削減
  • PLLでタイミング余裕を改善
  • JTAGで立上げ/デバッグ短縮
  • 1.8 Vコアでシステム低消費
  • VDDQ 1.4 VでI/O電力削減

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ