CY62147GN30-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62147GN30-45ZSXI

データシート
パッケージ

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CY62147GN30-45ZSXI
CY62147GN30-45ZSXI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY62147GN30-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62147GN30-45ZSXIは4 Mbit（256K×16）の非同期CMOS SRAMで、単一ビット訂正用ECCを内蔵します。3.0 V（2.2 V～3.6 V）品で45 nsアクセス、f=22.22 MHz時の動作ICC最大20 mA、3.5 µA（最大8.7 µA）の自動パワーダウン待機を実現。TTL互換I/O、BLE/BHEバイトイネーブル、1.0 Vデータ保持により工業用−40°C～+85°Cの設計に適します。

特長

  • 4 Mbit SRAM、256K×16
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • tRC読出し45/55 ns
  • 16-bit I/O、BLE/BHE対応
  • 非選択時I/OはハイZ
  • スタンバイ最大8.7 µA
  • データ保持VDR=1.0 V
  • VCC=1.2 VでICCDR最大13 µA
  • 動作温度–40°C～+85°C
  • ESD >2001 V（883法）
  • ラッチアップ電流>140 mA

利点

  • ECCで1ビット故障を訂正
  • 45/55 nsで高速アクセス
  • バイト有効で書込みを削減
  • ハイZでバス共有が容易
  • 最大8.7 µA待機で省電力
  • 1.0 V保持でデータ保持
  • 保持13 µAでバックアップ軽減
  • –40°C～+85°Cで信頼性向上
  • ESD>2001 Vで取扱い向上
  • ラッチアップ>140 mAで堅牢
  • 非同期SRAMでリフレッシュ不要

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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