CY62147GN30-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62147GN30-45ZSXI

データシート
パッケージ

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CY62147GN30-45ZSXI
CY62147GN30-45ZSXI
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62147GN30-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
TW
CY62147GN30-45ZSXI is a 4-Mbit (256K × 16) asynchronous CMOS SRAM with embedded ECC for single-bit error correction. The 3.0 V (2.2 V–3.6 V) speed grade supports 45 ns access, 20 mA max operating ICC at f = 22.22 MHz, and automatic power-down standby as low as 3.5 µA (8.7 µA max). TTL-compatible I/O, BLE/BHE byte enables, and 1.0 V data retention support industrial −40°C to +85°C designs.

特長

  • 4-Mbit SRAM, 256K × 16
  • Embedded ECC 1-bit correction
  • 45 ns/55 ns read cycle time tRC
  • 16-bit I/O with BLE/BHE byte en
  • HI-Z outputs when deselected
  • Standby current max 8.7 µA
  • Data retention VDR = 1.0 V
  • ICCDR max 13 µA at VCC = 1.2 V
  • Operating temp –40°C to +85°C
  • ESD >2001 V (MIL-STD-883)
  • Latch-up current >140 mA

利点

  • ECC corrects single-bit faults
  • 45/55 ns enables fast access
  • Byte enables cut write activity
  • HI-Z outputs ease bus sharing
  • 8.7 µA max standby saves power
  • 1.0 V retention preserves data
  • 13 µA retention cuts backup load
  • –40°C to +85°C boosts reliability
  • >2001 V ESD improves handling
  • >140 mA latch-up adds robustness
  • Async SRAM avoids DRAM refresh

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ