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RoHS準拠
鉛フリー

CY15V102QSN-108SXI

データシート
パッケージ

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CY15V102QSN-108SXI
CY15V102QSN-108SXI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    QSPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Excelon™
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    1.71 V ～ 1.89 V
  • 動作電圧 (範囲)
    1.71 V ～ 1.89 V
  • 周波数
    108 MHz
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15V102QSN-108SXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15V102QSN-108SXIは2 Mb EXCELON Ultra強誘電体RAMで、256K × 8メモリアレイと最大108 MHz（SDR）、54 MHz（DDR）のクワッドSPIインターフェースを備えています。バス速度での即時不揮発性書き込み、100兆回の耐久性、151年のデータ保持を実現。1.71 V～1.89 V動作、–40°C～+85°Cの温度範囲、ECC・CRCによるデータ完全性強化、XIP・高度な書き込み保護に対応し、産業用途の高信頼性を実現します。

特長

  • 2MビットF-RAM、256K×8構成
  • 100兆回の読み書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • 即時不揮発性書き込み
  • クアッド/デュアル/拡張/シングルSPI
  • SPI SDR 108 MHz、DDR 54 MHz
  • ECC内蔵：1ビット訂正2ビット検出
  • ハード/ソフト書き込み保護
  • 固有デバイス・シリアル番号
  • 低消費電力：10mA動作、0.1μA休止
  • 256バイト特別セクタ回路耐性

利点

  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • 電源断でもデータ消失なし
  • 書き込み遅延ゼロで効率化
  • 柔軟なインターフェース対応
  • 高速SPIで迅速アクセス
  • ECCでデータ整合性確保
  • 誤書き防止でデータ保護
  • トレーサビリティ・セキュリティ
  • 低消費でバッテリ長寿命
  • 特別セクタで安全保存

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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