CY14B108K-ZS25XI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY14B108K-ZS25XI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY14B108K-ZS25XI
CY14B108K-ZS25XI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns

推奨
OPN
CY14B108K-ZS25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 270
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 270
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY14B108K-ZS25XIは、リアルタイムクロックを内蔵した8Mビット (1024K×8) の並列nvSRAMで、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせたものです。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～85℃で、25 nsのアクセス速度をサポートします。データは20年間保持され、100万回のSTOREサイクルが可能で、電源オフ時のAutoStore機能に加え、ソフトウェアまたはHSBSTORE/RECALL機能により、組み込みシステムのデータ整合性が保護されます。

特長

  • 8 MビットnvSRAM + 内蔵RTC
  • 1024 K×8または512 K×16構成
  • 電源オフ時のハンズオフ自動保存 (AutoStore)
  • ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
  • ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
  • QuantumTrap不揮発性素子
  • 不揮発性STORE動作: 100万回
  • データ保持期間: 20年
  • 2.7 V～3.6 VのVCC動作
  • RTCバックアップ電流: 最大0.5 μA
  • RTCバッテリー入力: 1.8 V～3.6 V
  • 読み出しサイクル時間: 25 nsまたは45 ns

利点

  • SRAMバッテリーなしでデータを保持
  • 停電時保存に伴うオーバーヘッドなし
  • 柔軟な保存/復元システム制御
  • 不揮発性技術による信頼性向上
  • ログ記録のための高いSTORE耐久性
  • 20年間のデータ保持によるサービスリスク低減
  • 3 Vレールは一般的な組み込みボードに対応
  • 超低消費電力RTCバックアップによる寿命延長
  • コイン型電池またはスーパーキャパシタによるバックアップに対応
  • リアルタイムタスク向けの高速SRAM読み出し
  • 電源投入時のRECALLによる高速状態復元
  • 内蔵RTCにより外部部品を削減

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ