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RoHS準拠

CY14B108K-ZS25XI

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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CY14B108K-ZS25XI
CY14B108K-ZS25XI
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推奨
OPN
CY14B108K-ZS25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 270
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 270
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY14B108K-ZS25XIは8 Mbit（1024 K × 8）のパラレルnvSRAMで、リアルタイムクロックを内蔵し、SRAMとQuantumTrap不揮発ストレージを統合します。2.7 V～3.6 V、-40°C～85°Cで動作し、25 nsアクセスに対応。20年データ保持と1,000 K回STOREを備え、電源断時AutoStoreとソフトウェアまたはHSBによるSTORE/RECALLでデータ整合性を確保し、組込み機器に適します。

特長

  • 8-Mbit nvSRAM+RTC内蔵
  • 1024 K×8/512 K×16
  • 電源断で自動AutoStore
  • SW/HSBピンでSTORE
  • SW/起動時にRECALL
  • QuantumTrap不揮発素子
  • STORE耐久1,000 K回
  • データ保持20年
  • VCC 2.7 V～3.6 V
  • RTCバックアップ0.5 uA max
  • RTC電池入力1.8 V～3.6 V
  • リード25 nsまたは45 ns

利点

  • SRAMは電池なしでデータ保持
  • 電源断の保存が自動で簡単
  • 保存/復元を柔軟に制御
  • 不揮発で信頼性を向上
  • 高耐久STOREでログに最適
  • 20年保持で保守リスク低減
  • 3 V電源で組込みに適合
  • RTC低消費で電池寿命延長
  • コイン電池/SCAPに対応
  • 高速SRAMでリアルタイム対応
  • 起動時RECALLで即復元
  • RTC内蔵で外付け部品削減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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