CY14B104K-ZS25XI

データシート

パッケージ

CY14B104K-ZS25XI

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2033
Density

4 MBit
アラーム

Y
インターフェース

Parallel
ウォッチドッグタイマー

Y
ピークリフロー温度

260 °C
リアルタイムクロック

Y
リードボール仕上げ

Pure Sn
動作温度 (範囲)

-40 °C ～ 85 °C
動作電圧 (VCCQ) (最大)

3.6 V
動作電圧 (範囲)

2.7 V ～ 3.6 V
組織 (X x Y)

512Kb x 8
認定

Industrial
速度

25 ns

	推奨
OPN	CY14B104K-ZS25XI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-44
パッケージ名	TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ	1350
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS準拠	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-44
パッケージ名	TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ	1350
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

CY14B104K-ZS25XIは、SRAMとQuantumTrap技術を採用した不揮発性素子を組み合わせた、リアルタイムクロックを内蔵した4MビットnvSRAM (512K×8) です。2.7 V～3.6 Vの単一電源で動作し、電源オフ時のAutoStore機能に加え、ソフトウェアまたはHSBによるSTORE/RECALL機能をサポートし、25 nsのアクセス速度に対応しています。耐久性は、44ピンTSOP IIパッケージで、100万回のSTOREサイクルと20年間のデータ保持能力を持ち、動作温度範囲は-40～85℃です。

特長

4-Mbit nvSRAM+RTC
512Kx8/256Kx16バス
3.0 V動作(2.7-3.6 V)
電源断でAutoStore(VCAP)
ソフト/HSBでSTORE
ソフト/電源投入でRECALL
STORE耐久100万回
データ保持20年
25 ns/45 ns SRAM周期
WDTとアラーム搭載
RTC電池/コンデンサバックアップ
RTCバックアップ0.5 uA最大

利点

時間とデータを1つのICに保持
8ビットまたは16ビットのバス設計に対応
標準的な3 Vレールに対応
停電時にデータを自動的に保存
SWまたはPIN用の柔軟な保存トリガー
電源復旧後の高速復元
頻繁な保存操作に対応
重要なデータを20年間保存
25 nsで高速SRAMアクセスが可能
アラーム/ウォッチドッグによりMCUの負荷を軽減
主電源オフ時でもRTCを維持します
uAバックアップによりバッテリー寿命が延長

用途

デザインリソース

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }

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特長

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