CY14B101I-SFXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY14B101I-SFXIT

データシート
パッケージ

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CY14B101I-SFXIT
CY14B101I-SFXIT
データシート


製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    I2C
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 周波数
    3.4 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推奨
OPN
CY14B101I-SFXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (51-85022)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (51-85022)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY14B101I-SFXITは、リアルタイムクロック、アラーム、ウォッチドッグ、プログラム可能な矩形波出力機能を内蔵した、1Mビット (128K×8) のシリアル (I2C) nvSRAMです。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～85℃で、最大3.4 MHzのI2C通信に対応しています。QuantumTrap技術を採用した不揮発性セルは、電源オフ時のAutoStore機能に加え、ソフトウェアまたはHSBピンのSTORE/RECALL機能でSRAMをバックアップします。データ保持期間は85℃で20年間、STOREサイクル数は100万回です。

特長

  • 1 MビットnvSRAM (128 K × 8)
  • 電源断時の自動保存 (AutoStore)
  • I2CまたはHSBピン経由でSTORE
  • 電源投入時またはI2CでRECALL
  • I2Cクロック: 最大3.4 MHz
  • ゼロサイクル遅延の読み出し/書き込み
  • WPピンによるハードウェア書き込み保護
  • ソフトウェア ブロック保護 (1/4、1/2、全体)
  • 85℃で20年間のデータ保持
  • 不揮発性STOREサイクル: 100万回
  • 割り込み機能付きRTCアラーム
  • 矩形波: 1 Hz～32.768 kHz

利点

  • 停電時にもデータを保持
  • AutoStoreはファームウェアの保存を回避します
  • STOREのオプションはさまざまな設計に対応
  • RECALLによる高速復旧
  • 3.4 MHz I2Cによるデータアクセスの高速化
  • 待機状態がないことでレイテンシを改善
  • WPピンで意図しない書き込みをブロック
  • ブロック保護により更新領域を制限
  • 20年間のデータ保持により、保守サービスの必要性を低減
  • 高い書き込み (STORE) 耐久性による長寿命化
  • 内蔵RTCにより部品点数を削減
  • SQW/INTはタイミングウェイクアップに対応

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ