Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY14B101I-SFXIT

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CY14B101I-SFXIT
CY14B101I-SFXIT

製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    I2C
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 周波数
    3.4 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
CY14B101I-SFXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-16 (51-85022)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-16 (51-85022)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B101I-SFXITは、リアルタイムクロック、アラーム、ウォッチドッグ、プログラム可能な矩形波出力機能を内蔵した、1Mビット (128K×8) のシリアル (I2C) nvSRAMです。動作電圧は2.7 V~3.6 V、動作温度範囲は-40℃~85℃で、最大3.4 MHzのI2C通信に対応しています。QuantumTrap技術を採用した不揮発性セルは、電源オフ時のAutoStore機能に加え、ソフトウェアまたはHSBピンのSTORE/RECALL機能でSRAMをバックアップします。データ保持期間は85℃で20年間、STOREサイクル数は100万回です。

特長

  • 1 Mbit nvSRAM(128K×8)
  • 電源断でAutoStore
  • I2C/HSBでSTORE
  • 電源投入/I2CでRECALL
  • I2C最大3.4 MHz
  • 読み書き0サイクル遅延
  • WPピンで書込み保護
  • SWブロック保護1/4,1/2,全
  • 85°Cで20年データ保持
  • 不揮発STORE 1,000 K回
  • RTCアラームと割込み
  • 方形波1 Hz~32.768 kHz

利点

  • 停電時にもデータを保持
  • AutoStoreはファームウェアの保存を回避します
  • STOREのオプションはさまざまな設計に対応
  • RECALLによる高速復旧
  • 3.4 MHz I2Cによるデータアクセスの高速化
  • 待機状態がないことでレイテンシを改善
  • WPピンで意図しない書き込みをブロック
  • ブロック保護により更新領域を制限
  • 20年間のデータ保持により、保守サービスの必要性を低減
  • 高い書き込み (STORE) 耐久性による長寿命化
  • 内蔵RTCにより部品点数を削減
  • SQW/INTはタイミングウェイクアップに対応

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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