Active and preferred
RoHS準拠

BSZ0904NSI

OptiMOS™ 30V in S308 package
データシート
パッケージ

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BSZ0904NSI
BSZ0904NSI
データシート

Product details

  • Ciss
    1100 pF
  • Coss
    460 pF
  • ID (@25°C) max
    40 A
  • IDpuls max
    160 A
  • Ptot max
    37 W
  • QG (typ @10V)
    17 nC
  • QG (typ @4.5V)
    8.5 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    5.7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    5.7 mΩ
  • Rth
    3.4 K/W
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.85 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 予算価格€/ 1k
    0.21
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Monolithically Integrated Schottky-like Diode
推奨
OPN
BSZ0904NSIATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 30V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in half-bridge configuration (power stage 5x6).

機能

  • Ultra low gate and output charge
  • Lowest on-state resistance
  • Easy to design-in

利点

  • Increased battery lifetime
  • Improved EMI behavior
  • Saving costs
  • Space saving
  • Reducing power losses

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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