BSO613SPV G
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

BSO613SPV G

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -60V, SO-8
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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BSO613SPV G
BSO613SPV G
個.
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    700 pF
  • Coss
    235 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    -3.44 A
  • ID (最大)
    -3.44 A
  • IDpuls (最大)
    -13.8 A
  • Ptot (最大)
    2.5 W
  • QG (typ @10V)
    20 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    130 mΩ
  • Rth
    100 K/W
  • VDS (最大)
    -60 V
  • VGS(th) 範囲
    -2.1 V～-4 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モード
    Enhancement
  • 予算価格€/ 1k
    0.34
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P
推奨
OPN
BSO613SPVGXUMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

特長

  • Enhancement mode
  • Avalanche rated
  • Fast switching
  • Dv/dt rated
  • Pb-free lead-plating
RoHS compliant, Halogen-free
  • Qualified according to AEC Q101
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ