アクティブ
RoHS準拠
鉛フリー

BSO613SPV G

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -60V, SO-8
EA.
在庫あり

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BSO613SPV G
BSO613SPV G
EA.

Product details

  • Ciss
    700 pF
  • Coss
    235 pF
  • ID (@25°C) max
    -3.44 A
  • ID max
    -3.44 A
  • IDpuls max
    -13.8 A
  • Ptot max
    2.5 W
  • QG (typ @10V)
    20 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    130 mΩ
  • Rth
    100 K/W
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -2.1 V to -4 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モード
    Enhancement
  • 予算価格€/ 1k
    0.34
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P
OPN
BSO613SPVGXUMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

機能

  • Enhancement mode
  • Avalanche rated
  • Fast switching
  • Dv/dt rated
  • Pb-free lead-plating
RoHS compliant, Halogen-free
  • Qualified according to AEC Q101
  • ドキュメント

    デザイン リソース

    開発者コミュニティ

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