Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

BGA7L1BN6

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BGA7L1BN6
BGA7L1BN6
EA.
データシート

Product details

  • I
    4.9 mA
  • IIP3
    5 dBm
  • NF
    0.7 dB
  • P-1dB (in)
    -1 dBm
  • VCC動作
    1.5 V to 3.6 V
  • ゲイン
    13.6 dB
  • 周波数
    716 - 960 MHz
推奨
OPN
BGA7L1BN6E6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
TSNP-6-2
パッケージ名 N/A
包装サイズ 15000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TSNP-6-2
パッケージ名 -
包装サイズ 15000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
BGA7L1BN6 is a front-end low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 716 MHzto 960 MHz and operates from1.5 V to 3.3 V supply voltage.The device features a single-line two-state control (Bypass- and High gain-Mode) and OFF-state can be enabled by powering down Vcc.

機能

  • Insertion power gain: 13.6 dB
  • Low noise figure: 0.75 dB
  • Low current consumption: 4.9 mA
  • Insertion loss in bypass mode: -2.2 dB
  • Operating frequencies: 716 - 960 MHz
  • Two-state control: Bypass- and high gain-mode
  • Supply voltage: 1.5 V to 3.6 V
  • Digital on/off switch (1V logic high level)
  • Ultra small TSNP-6-2 leadless package (footprint: 0.7 x 1.1 mm2)
  • B7HF Silicon Germanium technology
  • RF output internally matched to 50 Ω
  • Only 1 external SMD component necessary
  • Pb-free (RoHS compliant) package
 

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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