新規
Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

AMF12S36LB2Z

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CIPOS™ Prime CoolSiC™ MOSFET 4パックモジュール1200 V
データシート
パッケージ

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AMF12S36LB2Z
AMF12S36LB2Z
データシート

製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    36 mΩ
  • アプリケーション
    Drives, HVAC, OBC, DC-DC Converter, ESS, EV Charger, UPS, Traction
  • コンフィギュレーション
    Full-bridge
  • パッケージ
    DIP 44x28D
  • 寸法 (width)
    27.4 mm
  • 寸法 (length)
    44 mm
  • 特長
    CIPOS Dual Inline
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
AMF12S36LB2ZXKMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
N/A
パッケージ名 DIP 44x28D
包装サイズ 176
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
N/A
パッケージ名 DIP 44x28D
包装サイズ 176
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CIPOS™ Prime CoolSiC™ MOSFET 4パックモジュール (1200 V、18 mΩ、G2) は、DIP44x28Dパッケージの車載用パワーモジュールで、xEVアプリケーション向けにクラス最高レベルの性能を提供します。車載グレードのCoolSiC™ MOSFETを完全絶縁のコンパクトなモールドパッケージに搭載し、6.6 kW～44 kWのOBCおよびDC/DCトポロジーに対応します。AEC-Q101およびAQG324認定を取得しており、比類のない信頼性に加え、ポカヨケのジグザグピン配置と安定供給で、次世代電気自動車システムをサポートします。

特長

  • CoolSiC™ Gen2 1200 V MOSFET
  • スイッチング損失の低減
  • 優れたゲート酸化膜信頼性
  • しきい値電圧 Vth4 V超
  • フルブリッジおよび3相ブリッジ
  • Rds: 18 mΩ～62 mΩ
  • AQG-324およびAEC-Q101認定取得

利点

  • CoolSiC™ MOSFET Gen2 1200 V
  • 調達の簡素化
  • ポカヨケによる組立信頼性
  • 高い堅牢性
  • 優れたCoolSiC™ MOSFET性能
  • 比類のない車載品質と信頼性

ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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