2EDL6014AC-G2D
新規
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

2EDL6014AC-G2D

新規
EiceDRIVER™ 120 V Level shifter gate driver IC that is designed to drive dual high-side, dual low-side or half-bridge configurations of Si MOSFETs
データシート
パッケージ

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2EDL6014AC-G2D
2EDL6014AC-G2D
データシート

製品仕様情報

  • Iout (最大)
    6 A
  • チャネル
    2
  • トポロジー
    Dual-floating channels
  • パッケージ
    WQFN11-2.2x2.2
  • 入力 Vcc 範囲
    2.97 V～5.5 V
  • 入力電圧 範囲
    2.97 V～5.5 V
  • 出力数
    2
  • 出力電圧 範囲
    0 V～16 V
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
2EDL6014ACG2DXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-WQFN-11-1
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-WQFN-11-1
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The EiceDRIVER™ 2EDL6014AC is a dual-channel level shifter gate driver IC with dual floating outputs to drive silicon MOSFETS. This strong 4 A/6 A source/sink current dual-channel gate driver has a programmable driving current on OUTA to limit inrush current during system start-up. It is available in QFN-11 (2.2 x 2.2 mm) with an exposed thermal pad for good thermal management.

特長

  • Dual-channel floating output gate driver
  • Strong 4 A source and 6 A sink current
  • Configurable driving current on OUTA
  • Package: QFN-11 2.2x2.2 mm w/ exposed pad
  • Low RthJC_B
  • 4 V to 16 V driving capability

利点

  • Support wide range of power topologies
  • Compact and thermally capable solution
  • Suitable for high power applications
  • Flexible for many customer requirements
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ