2ED020I12-FI
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

2ED020I12-FI

1200 V half-bridge gate driver IC with galvanic isolation, comparator and OPAMP
データシート
パッケージ

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2ED020I12-FI
2ED020I12-FI
データシート


製品仕様情報

  • PD アウト
    1400 mW
  • RDSON_H(最大)
    7.5 Ω
  • RDSON_H(標準)
    5 Ω
  • RDSON_L (最大)
    15 Ω
  • RDSON_L(標準)
    10 Ω
  • RthJA
    110 K/W
  • VBS UVLO (Off)
    11.2 V
  • VBS UVLO (On)
    12.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    11 V
  • VCC UVLO (On)
    12 V
  • コンフィギュレーション
    Half-Bridge
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    85 ns
  • 伝搬遅延オン
    85 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    14 V～18 V
  • 出力電流 (Sink)
    2.5 A
  • 出力電流 (Source)
    1.5 A
  • 絶縁方式
    Galvanic isolation - Functional
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    1200 V

推奨
OPN
2ED020I12FIXUMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-18
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
ID
ウェハ製造国
DE
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-18
パッケージ名 -
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
ID
ウェハ製造国
DE
EiceDRIVER™ 1200 V half-bridge Gate Driver IC for IGBT , MOSFET and SiC MOSFET with typical 1.5 A source and 2.5 A sink currents in PG-DSO-18 package.

特長

  • Coreless transformer isol. driver
  • Rail-to-rail outputs
  • Protection function
  • Floating high side driver
  • Undervolt. lockout for both channel
  • 3.3 V and 5 V TTL compatible inputs

利点

  • Space saving package
  • Improved energy efficiency

図

Block_Diagram_2ED020I12-FI
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