IGBTディスクリート

概要

先端的イノベーションとアプリケーション重視により市場をリード

最高水準の性能と品質を追求するインフィニオンでは、さまざまなアプリケーションに特化した、他の追随を許さないディスクリートIGBT製品群をご提供しています。また、各用途で最高の価値を引き出せるよう、アプリケーションに特化した新製品開発アプローチを採用しています。

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関連情報

EiceDRIVER™ gate driver ICs for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs and GaN HEMTs
Concepts providing electrical performance and highest reliability without limiting the design flexibility
CIPOS™ Intelligent Power Modules in different packages, voltage and current classes.

推奨ドキュメント

Infineon EiceDRIVER™ gate driver ICs Selection guide 2019 - Every switch needs a driver
Power and Sensing Selection Guide 2019
シミュレーション
ビデオ

産業用ロボットのイノベーションを加速

KEWAZO社は、インフィニオンと協業して世界初の建設現場用ロボットを開発しました。KEWAZOの足場組立ロボットは、人の安全リスクを除き、労務コストの大幅な低減を実現するとともに、組立作業時間を40%以上短縮します。

Infineon’s 600 V-650 V IGBT discretes - Portfolio Overview

Brief introduction into where our 600V/650V discrete IGBT portfolio offers the best Performance More Information Watch related Videos: TRENCHSTOP™ 5 Portfolio Overview TRENCHSTOP™ 5 Soft Hard Switching “S5” Introduction TRENCHSTOP™ 5 Soft Hard Switching “S5” TRENCHSTOP™ 5 Soft Hard Switching “S5” Application Test

トレーニング
2 minutes on 650 V discrete IGBT7 T7

Thanks to its superior controllability, humidity robustness and short-circuit ruggedness, Infineon’s IGBT7 T7 delivers the highest electrical performance among short-circuit devices.
Curious to know more? Watch this training.

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このトレーニングでは、IGBTアプリケーション向けゲート抵抗値の算出法、ピーク電流と電力損失要件に適したゲートドライバICの識別法、最悪条件の試験環境下でのゲート抵抗値の微調整法を学びます。

シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。

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