IGBTディスクリート
先端的イノベーションとアプリケーション重視により市場をリード
最高水準の性能と品質を追求するインフィニオンでは、さまざまなアプリケーションに特化した、他の追随を許さないディスクリートIGBT製品群をご提供しています。また、各用途で最高の価値を引き出せるよう、アプリケーションに特化した新製品開発アプローチを採用しています。
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Are you familiar with the structure of Infineon discrete insulated-gate bipolar transistor datasheets?
And did you know that a new format was recently released?
This is what we will cover!
Thanks to its superior controllability, humidity robustness and short-circuit ruggedness, Infineon’s IGBT7 T7 delivers the highest electrical performance among short-circuit devices.
Curious to know more? Watch this training.
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このトレーニングでは、IGBTアプリケーション向けゲート抵抗値の算出法、ピーク電流と電力損失要件に適したゲートドライバICの識別法、最悪条件の試験環境下でのゲート抵抗値の微調整法を学びます。
シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。
