GaN トランジスタ (GaN HEMT)

CoolGaN™トランジスタ - 60Vから700Vまでの高効率ノーマリオフデバイス

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概要

インフィニオンのGaNトランジスタの概要をご覧ください


インフィニオンの窒化ガリウム (GaN) トランジスタは、60 V～700 Vの電圧範囲で提供されています。高速なターンオン/ターンオフと最小限のスイッチング損失は、AIデータセンター、EV、再生可能エネルギー、ヒューマノイド ロボット、民生アプリケーションなど、さまざまな分野で不可欠です。

インフィニオンのGaNデバイスは、多様なパッケージと業界標準を上回る厳格な認定により、コストとシステム サイズを削減しながら高周波スイッチングを実現します。インフィニオンのGaNトランジスタで、設計をさらに進化させましょう。

インフィニオンのGaNトランジスタの特長とは

  • 60 V～700 VのGaNトランジスタ: インフィニオンのCoolGaN™ トランジスタ ポートフォリオは、60 V～700 Vの幅広い電圧範囲をカバーしており、低電力/中電力/高電力アプリケーション全体で、優れた効率と拡張性を備えた最適化設計を可能にします。
  • 上面/両面/底面放熱パッケージ: 上面/両面/底面放熱に対応した先進的なパッケージ設計により、効率的な放熱が可能になり、熱性能が向上し、コンパクトなシステム レイアウトでより高い電力密度を実現できます。
  • 超高速スイッチング: GaNトランジスタは超高速スイッチング性能を実現し、スイッチング損失を大幅に低減するとともに、より高いスイッチング周波数を可能にすることで、より小型/軽量/高効率な電源システムを実現します。
  • 優れたFOM (性能指数) : インフィニオンのGaNデバイスは、低RDS (on) と低電荷特性を組み合わせることで優れた性能指数を実現し、損失を最小限に抑えた高効率の電力変換を可能にします。
  • 連続電流: 4 A～100 A: 4 A～100 Aの幅広い電流範囲により、これらのGaNトランジスタは、小型の民生機器設計から高出力の産業用システムまで、多様なアプリケーションに対応する柔軟性を提供します。
  • RDS(on)(typ.) : 1.4 mΩ～500 mΩ: 幅広いオン抵抗オプションにより、設計者はアプリケーションの要件に応じて、導通損失、効率、コストを精密にバランスできます。
  • エンハンスメント モード (e-mode) : 通常オフのエンハンスメント モード動作により、シンプルで安全かつフェイルセーフな設計実装が可能になり、従来の通常オン デバイスと比べてGaN技術を統合しやすくなります。
  • 逆回復電荷なし: 逆回復電荷がないため逆回復損失がなくなり、効率が向上するとともに、特にハードスイッチング トポロジーでよりクリーンなスイッチング動作が可能になります。
  • 超低ゲート電荷および出力電荷: 極めて低いゲート電荷および出力電荷により、駆動損失が低減され、スイッチング遷移が高速化されるため、高周波動作とシステム全体の効率向上をサポートします。

インフィニオンのGaNトランジスタの利点は何ですか？

  • システムの効率を高めたいとお考えですか?インフィニオンのGaNトランジスタを利用することで、スイッチング損失を大幅に削減し、システム全体の効率を向上させることができます。
  • 電力密度の向上についてはどうでしょうか?インフィニオンのGaNデバイスはスイッチング周波数が高いため、受動部品を小型化でき、設計全体のサイズを縮小できます。
  • システムの重量を軽減されたいですか?インフィニオンのGaNトランジスタにより、使用する材料が少なくなり、部品も小型化されるため、システムの重量が軽減されます。これらのトランジスタは優れたスイッチング速度を備え、さまざまなアプリケーションでエネルギー損失を最小限に抑えながら高い電力密度を実現し、設計者は最高のパフォーマンスを維持しながら、さらに小型で、軽量で、コンパクトなシステムを作成できます。

GaN 用ゲートドライバIC

GaNの性能を最適化しつつシステムコストを最小限に抑えるには、適切なゲートドライバICを選択することが重要です。インフィニオンの包括的なEiceDRIVER™ゲートドライバIC製品群は、インフィニオンのCoolGaN™ショットキーゲート (SG) HEMTおよびゲート注入トランジスタ (GIT) HEMTの両方に対応する、シングルチャネル/デュアルチャネルの絶縁型、レベルシフト型、非絶縁型ゲートドライバを幅広く提供しています。

EiceDRIVER™の製品ラインナップをご覧いただき、最適なドライバを見つけてください。

GaN 用ゲートドライバIC

GaNパッケージ

PQFN 3x3およびPQFN 3x5パッケージの60 V～200 V品は、耐湿性レベル (MSL) が1であるため、標準的な保管および取り扱い条件に適しています。

高電圧分野 (600 V以上) では、TOLL、TOLT、Thin-PAK 5x6、DFN 8x8から、上面放熱型および下面放熱型DSOまで、非常に幅広い種類のSMDパッケージを提供しています。これらのパッケージは多様な設計要件に対応し、コンパクトさ、熱性能の向上、費用対効果、設計の柔軟性をバランスよく備えています。

GaNシステム設計パートナー

インフィニオンのCoolGaN™は、実績のある信頼性、確実な長期供給、専門家によるサポートを備えたディスクリートおよび集積型のGaNパワーソリューションを提供し、民生用、産業用、車載用アプリケーションにおいて、最高の性能とより高効率なシステムの実現に貢献します。当社はグローバルGo-To-Market (G2M) パートナー エコシステムと連携し、開発サイクルを短縮して市場投入までの時間を加速し、お客様の製品に革新的で差別化された機能をもたらすターンキー ソリューション、リファレンス デザイン、サービス、革新的技術を提供しています。

 

パートナー詳細

CoolGaN™ソリューションにご興味はありますか？

インフィニオンのディスクリートおよび集積型GaNソリューションは、民生用、産業用、車載用アプリケーションで最高の効率と電力密度を実現します。CoolGaN™製品およびソリューションにご興味がありましたら、当社のGaNエキスパートまでお気軽にお問い合わせください。

 

お問い合わせ

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インフィニオンの窒化ガリウム (GaN) トランジスタは、60 V～700 Vの電圧範囲で提供されています。高速なターンオン/ターンオフと最小限のスイッチング損失は、AIデータセンター、EV、再生可能エネルギー、ヒューマノイド ロボット、民生アプリケーションなど、さまざまな分野で不可欠です。

インフィニオンのGaNデバイスは、多様なパッケージと業界標準を上回る厳格な認定により、コストとシステム サイズを削減しながら高周波スイッチングを実現します。インフィニオンのGaNトランジスタで、設計をさらに進化させましょう。

インフィニオンのGaNトランジスタの特長とは

  • 60 V～700 VのGaNトランジスタ: インフィニオンのCoolGaN™ トランジスタ ポートフォリオは、60 V～700 Vの幅広い電圧範囲をカバーしており、低電力/中電力/高電力アプリケーション全体で、優れた効率と拡張性を備えた最適化設計を可能にします。
  • 上面/両面/底面放熱パッケージ: 上面/両面/底面放熱に対応した先進的なパッケージ設計により、効率的な放熱が可能になり、熱性能が向上し、コンパクトなシステム レイアウトでより高い電力密度を実現できます。
  • 超高速スイッチング: GaNトランジスタは超高速スイッチング性能を実現し、スイッチング損失を大幅に低減するとともに、より高いスイッチング周波数を可能にすることで、より小型/軽量/高効率な電源システムを実現します。
  • 優れたFOM (性能指数) : インフィニオンのGaNデバイスは、低RDS (on) と低電荷特性を組み合わせることで優れた性能指数を実現し、損失を最小限に抑えた高効率の電力変換を可能にします。
  • 連続電流: 4 A～100 A: 4 A～100 Aの幅広い電流範囲により、これらのGaNトランジスタは、小型の民生機器設計から高出力の産業用システムまで、多様なアプリケーションに対応する柔軟性を提供します。
  • RDS(on)(typ.) : 1.4 mΩ～500 mΩ: 幅広いオン抵抗オプションにより、設計者はアプリケーションの要件に応じて、導通損失、効率、コストを精密にバランスできます。
  • エンハンスメント モード (e-mode) : 通常オフのエンハンスメント モード動作により、シンプルで安全かつフェイルセーフな設計実装が可能になり、従来の通常オン デバイスと比べてGaN技術を統合しやすくなります。
  • 逆回復電荷なし: 逆回復電荷がないため逆回復損失がなくなり、効率が向上するとともに、特にハードスイッチング トポロジーでよりクリーンなスイッチング動作が可能になります。
  • 超低ゲート電荷および出力電荷: 極めて低いゲート電荷および出力電荷により、駆動損失が低減され、スイッチング遷移が高速化されるため、高周波動作とシステム全体の効率向上をサポートします。

インフィニオンのGaNトランジスタの利点は何ですか？

  • システムの効率を高めたいとお考えですか?インフィニオンのGaNトランジスタを利用することで、スイッチング損失を大幅に削減し、システム全体の効率を向上させることができます。
  • 電力密度の向上についてはどうでしょうか?インフィニオンのGaNデバイスはスイッチング周波数が高いため、受動部品を小型化でき、設計全体のサイズを縮小できます。
  • システムの重量を軽減されたいですか?インフィニオンのGaNトランジスタにより、使用する材料が少なくなり、部品も小型化されるため、システムの重量が軽減されます。これらのトランジスタは優れたスイッチング速度を備え、さまざまなアプリケーションでエネルギー損失を最小限に抑えながら高い電力密度を実現し、設計者は最高のパフォーマンスを維持しながら、さらに小型で、軽量で、コンパクトなシステムを作成できます。

GaN 用ゲートドライバIC

GaNの性能を最適化しつつシステムコストを最小限に抑えるには、適切なゲートドライバICを選択することが重要です。インフィニオンの包括的なEiceDRIVER™ゲートドライバIC製品群は、インフィニオンのCoolGaN™ショットキーゲート (SG) HEMTおよびゲート注入トランジスタ (GIT) HEMTの両方に対応する、シングルチャネル/デュアルチャネルの絶縁型、レベルシフト型、非絶縁型ゲートドライバを幅広く提供しています。

EiceDRIVER™の製品ラインナップをご覧いただき、最適なドライバを見つけてください。

GaN 用ゲートドライバIC

GaNパッケージ

PQFN 3x3およびPQFN 3x5パッケージの60 V～200 V品は、耐湿性レベル (MSL) が1であるため、標準的な保管および取り扱い条件に適しています。

高電圧分野 (600 V以上) では、TOLL、TOLT、Thin-PAK 5x6、DFN 8x8から、上面放熱型および下面放熱型DSOまで、非常に幅広い種類のSMDパッケージを提供しています。これらのパッケージは多様な設計要件に対応し、コンパクトさ、熱性能の向上、費用対効果、設計の柔軟性をバランスよく備えています。

GaNシステム設計パートナー

インフィニオンのCoolGaN™は、実績のある信頼性、確実な長期供給、専門家によるサポートを備えたディスクリートおよび集積型のGaNパワーソリューションを提供し、民生用、産業用、車載用アプリケーションにおいて、最高の性能とより高効率なシステムの実現に貢献します。当社はグローバルGo-To-Market (G2M) パートナー エコシステムと連携し、開発サイクルを短縮して市場投入までの時間を加速し、お客様の製品に革新的で差別化された機能をもたらすターンキー ソリューション、リファレンス デザイン、サービス、革新的技術を提供しています。

 

パートナー詳細

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インフィニオンのディスクリートおよび集積型GaNソリューションは、民生用、産業用、車載用アプリケーションで最高の効率と電力密度を実現します。CoolGaN™製品およびソリューションにご興味がありましたら、当社のGaNエキスパートまでお気軽にお問い合わせください。

 

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