Active and preferred
RoHS準拠

ISC009N06NM6SC

OptiMOS™ 6 60 V - ベンチマーク性能の新たな業界標準を打ち立てる最新のパワーMOSFET技術。
データシート
パッケージ

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ISC009N06NM6SC
ISC009N06NM6SC
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    344 A
  • QG (typ @10V)
    97 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.9 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.7 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6 DSC
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Dual-Side Cooling
推奨
OPN
ISC009N06NM6SCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6 DSC
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6 DSC
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
OptiMOS™ 6 60 V - the latest power MOSFET technology setting the new industry standard for benchmark performance. Compared to its predecessor, OptiMOS™ 5, Infineon's latest wafer technology offers significant performance improvement, including >37% lower RDS(on) and ~32% improved FOMQg x RDS(on) in SuperSO8 DSC. The performance improvements lead to higher system efficiency and power density.

機能

  • High performance silicon technology
  • Low top-side RthJC (0/72 K/W)
  • Normal level gate drive
  • 175°C rated
  • Industrial qualification

利点

  • Lower conduction losses than OptiMOS™ 5
  • Lower switching losses than OptiMOS™ 5
  • Improved heat dissipation
  • Superior power handling capability
  • Robust reliable performance
  • Drop-in replacement for SuperSO8

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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