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IRHMS9A3064

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IRHMS9A3064
IRHMS9A3064
データシート

Product details

  • ESD Class
    Class 3B
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    194 C
  • QPL Part Number
    2N7652T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    7 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Configuration
    Discrete
  • Die Size
    6
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Qualification
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHMS9A3064 R9 N-channel MOSFET is a rad hard device with a 60V, 45A rating for space applications. It features low RDS(on), faster switching, and improved immunity to SEE. Its electrical performance is characterized up to 300krad(Si) TID and LET up to 90MeV·cm2/mg. This COTS device comes TO-254AA low ohmic package with lead form down.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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