IRHMS67264
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IRHMS67264

データシート
パッケージ

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IRHMS67264
IRHMS67264
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    28.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    220 nC
  • QPL型番
    2N7586T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    41 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHMS67264 R6 N-channel MOSFET is a rad hard device in a TO-254AA low ohmic package with electrical performance up to 100krad(Si) TID. It has improved immunity to Single Event Effects (SEE) and LET up to 85 MeV·cm2/mg. With low RDS(on) and fast switching times, it is suitable for space applications such as DC-DC converters or motor drives. The device's MOSFET advantages include voltage control and temperature stability of electrical parameters.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ