アクティブ
RoHS準拠

IRFR1018E

60V Single N-Channel Power MOSFET in a DPAK package
複数のパッケージが利用可能
EA.

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製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    79 A
  • Ptot max
    110 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @10V)
    46 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    8.4 mΩ
  • RthJC max
    1.32 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.45
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRFR1018ETRPBF IRFR1018EPBF
製品ステータス active discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DPAK DPAK
包装サイズ 2000 3000
包装形態 TAPE & REEL TUBE
水分レベル 1 N/A
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー No No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 3000
包装形態 TUBE
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

機能

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Industry standard surface mount package
  • Silicon optimized for switching <100kHz

利点

  • Wide distribution availability
  • Industry standard qualification level
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • High performance, low-frequency

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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