IRF9395M

IRF9395M

A -30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MC package rated at -14 amperes optimized with low on resistance
データシート

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IRF9395M
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -75 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.1 W
  • Qgd (typ)
    15 nC
  • QG (typ @4.5V)
    32 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    11.9 mΩ
  • RthJA (最大)
    60 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    -30 V
  • VGS(th) 範囲
    -1.3 V～-2.4 V
  • VGS(th)
    -1.8 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET MC
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    P+P
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dual P-Channel MOSFET
  • Low Profile (less than 0.7 mm)
  • Dual Sided Cooling

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }