IRF9395M

A -30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MC package rated at -14 amperes optimized with low on resistance

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IRF9395M
IRF9395M

Product details

  • ID (@25°C) max
    -75 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.1 W
  • Qgd (typ)
    15 nC
  • QG (typ @4.5V)
    32 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    11.9 mΩ
  • RthJA max
    60 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    -30 V
  • VGS(th)
    -1.8 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET MC
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    P+P
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dual P-Channel MOSFET
  • Low Profile (less than 0.7 mm)
  • Dual Sided Cooling

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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