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IRF430

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IRF430
IRF430

製品仕様情報

  • ID (@100°C) max
    3 A
  • ID (@25°C) max
    4.5 A
  • QPL型番
    2N6762
  • RDS (on) (@25°C) max
    1500 mΩ
  • VBRDSS min
    500 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-204AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    High Reliability MOSFETs
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRF430 is a high reliability, 800V, single, N-channel MOSFET in a TO-254AA low ohmic package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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