IQE018N06NM6
Active and preferred
RoHS対応

IQE018N06NM6

OptiMOS™ 6 60 V - the latest power MOSFET technology setting the new industry standard for benchmark performance.
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IQE018N06NM6
IQE018N06NM6
個.
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    178 A
  • QG (typ @10V)
    43 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.8 mΩ
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2.1 V～3.3 V
  • VGS(th)
    2.7 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

推奨
OPN
IQE018N06NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN,MY
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 -
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,MY
ウェハ製造国
AT
個.
在庫あり
Compared to its predecessor, OptiMOS™ 5, Infineon's latest wafer technology offers significant performance improvement, including >37% lower RDS(on) and ~25% improved FOMQg x RDS(on). These improvements lead to higher system efficiency and power density in soft-switching topologies and low-frequency applications.

特長

  • High performance silicon technology
  • Soft-switching optimized
  • Normal level gate drive
  • 175°C rated
  • Industrial qualification
  • Source-down package variants
  • Standard-gate footprint

利点

  • Lower conduction losses than OptiMOS™ 5
  • Lower switching losses than OptiMOS™ 5
  • Improved performance efficiency
  • Superior power handling capability
  • Robust reliable performance
  • Reduced package parasitics
  • Standard-Gate for easy layout fit-in
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ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ