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RoHS準拠

IQDH35N03LM5CG

OptiMOS™ power MOSFETs 30 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with industry leading RDS(on) .
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IQDH35N03LM5CG
IQDH35N03LM5CG
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Product details

  • ID (@25°C) max
    700 A
  • IDpuls max
    2800 A
  • QG (typ @4.5V)
    91 nC
  • QG (typ @10V)
    197 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    0.4 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    0.35 mΩ
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 5x6 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    1.5
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Center-Gate
推奨
OPN
IQDH35N03LM5CGATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The power MOSFET IQDH35N03LM5CG 30 V comes in a PQFN 5x6 mm2 Source-Down package. The part offers the industry’s lowest RDS(on) of 0.35 mΩ combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications like SMPS , telecom power, and intermediate bus conversion in high-performance computing, like hyper-scale data centers and AI-server farms.

機能

  • OptiMOS™ 30 V with outstanding FOMs
  • Source-Down package with thermal
  • Source-Down with maximized chip ratio
  • Source-Down in Center-Gate footprint

利点

  • Minimized conduction losses
  • Reduced voltage overshoot
  • Increased maximum current capability
  • Fast switching
  • Less device paralleling required
  • Center-Gate for optimal parallelization
  • Lowest RDS(on) on 5x6 mm² PCB
  • Enhanced thermal management
  • Minimal parasitics, optimal switching
  • Industry standard package

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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