IQDH35N03LM5CG
Active and preferred
RoHS対応

IQDH35N03LM5CG

OptiMOS™ power MOSFETs 30 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with industry leading RDS(on) .
データシート

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IQDH35N03LM5CG
IQDH35N03LM5CG
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    700 A
  • IDpuls (最大)
    2800 A
  • QG (typ @4.5V)
    91 nC
  • QG (typ @10V)
    197 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.35 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    0.4 mΩ
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 5x6 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    1.5
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, Center-Gate
推奨
OPN
IQDH35N03LM5CGATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The power MOSFET IQDH35N03LM5CG 30 V comes in a PQFN 5x6 mm2 Source-Down package. The part offers the industry’s lowest RDS(on) of 0.35 mΩ combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications like SMPS , telecom power, and intermediate bus conversion in high-performance computing, like hyper-scale data centers and AI-server farms.

特長

  • OptiMOS™ 30 V with outstanding FOMs
  • Source-Down package with thermal
  • Source-Down with maximized chip ratio
  • Source-Down in Center-Gate footprint

利点

  • Minimized conduction losses
  • Reduced voltage overshoot
  • Increased maximum current capability
  • Fast switching
  • Less device paralleling required
  • Center-Gate for optimal parallelization
  • Lowest RDS(on) on 5x6 mm² PCB
  • Enhanced thermal management
  • Minimal parasitics, optimal switching
  • Industry standard package

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ