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IPP019N08NF2S

StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 80 V in TO-220 package
データシート
EA.
在庫あり

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IPP019N08NF2S
IPP019N08NF2S
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    191 A
  • IDpuls max
    764 A
  • Ptot max
    250 W
  • QG (typ @10V)
    124 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.9 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TO-220
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.16
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPP019N08NF2SAKMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V features low RDS(on) of 1.9 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency. Compared to the previous technology the IPP019N08NF2S achieves 40 percent lower RDS(on) and 40 percent Qg improvement.

機能

  • Availability from distribution partners
  • Excellent price/performance ratio
  • Ideal for high & low switching frequency
  • Industry standard footprint package
  • High current rating
  • Capable of wave-soldering

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Right-fit products
  • Supports a wide variety of applications
  • Standard Pinout for Drop-In Replacement
  • Increased current carrying capability
  • Ease of manufacturing

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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