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Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMY120R018CM2H

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CoolSiC™ MOSFETハイブリッドディスクリート1200 V、TO-247PLUS-4パッケージ
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IMY120R018CM2H
IMY120R018CM2H
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    2885 pF
  • Coss
    134 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    80 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    280 W
  • Qgd
    16.8 nC
  • QG
    73 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    18 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.53 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    1200 V
  • パッケージ
    PG-TO247-4-U10
  • ピン数
    4 Pins
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMY120R018CM2HXKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 N/A
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 -
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
TO-247-4ピン パッケージに搭載されたCoolSiC™ MOSFETハイブリッド ディスクリート1200 V、18 mΩ G2は、第2世代MOSFETテクノロジの高度な機能と、ソフトスイッチング1200 V、81 Aエミッター制御7シリコン ダイオードを組み合わせています。この革新的なソリューションは、太陽光MPPTステージに特化した設計となっており、コンパクトで信頼性が高く、コスト最適化されたシステムの性能を強化します。

特長

  • VGS = 18 V、Tvj = 25℃ で RDS = 18 mΩ
  • 逆並列ダイオード
  • ダイオード IF = 81 A、Tc = 100℃
  • 非常に低いスイッチング損失
  • ベンチマーク ゲート閾値電圧、VGS(th) = 4.2 V
  • 寄生的なターンオンに対して堅牢
  • VF = 1.6 V、Tc = 175℃のソフトで低Qrrのダイオード

利点

  • 最適化された性能
  • 高信頼性
  • 高電力密度
  • 高エネルギー効率
  • 使いやすさ

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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