新規
Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMY120R018CM2H

新規
CoolSiC™ MOSFETハイブリッドディスクリート1200 V、TO-247PLUS-4パッケージ
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IMY120R018CM2H
IMY120R018CM2H
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    2885 pF
  • Coss
    134 pF
  • ID (@25°C) max
    80 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    280 W
  • Qgd
    16.8 nC
  • QG
    73 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    18 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.53 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    1200 V
  • パッケージ
    PG-TO247-4-U10
  • ピン数
    4 Pins
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMY120R018CM2HXKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 N/A
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 -
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
TO-247-4ピン パッケージに搭載されたCoolSiC™ MOSFETハイブリッド ディスクリート1200 V、18 mΩ G2は、第2世代MOSFETテクノロジの高度な機能と、ソフトスイッチング1200 V、81 Aエミッター制御7シリコン ダイオードを組み合わせています。この革新的なソリューションは、太陽光MPPTステージに特化した設計となっており、コンパクトで信頼性が高く、コスト最適化されたシステムの性能を強化します。

機能

  • VGS = 18 V、Tvj = 25℃ で RDS = 18 mΩ
  • 逆並列ダイオード
  • ダイオード IF = 81 A、Tc = 100℃
  • 非常に低いスイッチング損失
  • ベンチマーク ゲート閾値電圧、VGS(th) = 4.2 V
  • 寄生的なターンオンに対して堅牢
  • VF = 1.6 V、Tc = 175℃のソフトで低Qrrのダイオード

利点

  • 最適化された性能
  • 高信頼性
  • 高電力密度
  • 高エネルギー効率
  • 使いやすさ

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }