Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMDQ75R020M2H

CoolSiC™ MOSFET 750 V G2、Q-DPAK上面放熱パッケージ、20 mΩ
データシート
パッケージ

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IMDQ75R020M2H
IMDQ75R020M2H
データシート

製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    26 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    20 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.44 K/W
  • VDS (最大)
    750 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMDQ75R020M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CoolSiC™ Automotive MOSFET 750 V G2は、スイッチング性能の向上、損失の低減、熱管理性能の強化を実現します。第1世代と比較してスイッチング速度が25%向上し、性能指数が最大35%向上しているため、産業アプリケーション向けに、より効率的でコンパクトかつ信頼性の高いシステムを実現します。

特長

  • 100%アバランシェ耐量出荷テスト対応
  • 最高レベルのRDS(on)×Qfr
  • 優れたR DS(on) × Qoss & RDS(on) × Q G
  • 独自の低Crss/Ciss & 高VGS(th)
  • XT技術によるチップパッケージの相互接続
  • ドライバソース端子あり

利点

  • 高い堅牢性と信頼性
  • ハードスイッチングにおける優れた効率
  • 高スイッチング周波数化
  • 寄生ターンオンに対する堅牢性
  • 最高レベルの放熱性
  • スイッチング損失を低減

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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