Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IDW40G120C5B

1200 V Silicon Carbide Schottky diode in TO-247-3 package
データシート
パッケージ
ボード

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IDW40G120C5B
IDW40G120C5B
データシート

Product details

  • I(FSM) max
    290 A
  • IF max
    40 A
  • IR
    23 µA
  • Ptot max
    402 W
  • QC
    202 nC
  • RthJC
    0.3 K/W
  • VF
    1.4 V
  • パッケージ
    PG-TO247-3
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IDW40G120C5BFKSA1 IDW40G120C5BXKSA1
製品ステータス active and preferred active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247 TO247
包装サイズ 240 240
包装形態 TUBE TUBE
水分レベル NA N/A
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー No Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 40 A in a TO-247-3 package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point.

機能

  • Best-in-class forward voltage (VF)
  • No reverse recovery charge
  • Mild positive temp. depend. of VF
  • Best-in-class surge current capab.
  • Excellent thermal performance

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }