Active and preferred
RoHS準拠

IAUZN08S7N046

80 V、Nチャネル、最大4.6 mΩ、車載用パワーMOSFET、S3O8(3x3)、OptiMOS™ 7
データシート
パッケージ

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IAUZN08S7N046
IAUZN08S7N046
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • Currently planned availability until at least
    2040
  • ID (@25°C) max
    60 A
  • QG (typ @10V)
    27.2 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4.6 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    PG-TSDSON-8
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™7
  • 極性
    N
  • 発売年
    2025
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUZN08S7N046ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 S3O8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 S3O8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IAUZN08S7N046は、インフィニオンの最先端パワー半導体技術であるOptiMOS™ 7 80 Vで構築された車載用MOSFETです。本製品は、リードレス3x3mm2 SMDパッケージで提供されます。S3O8パッケージは銅クリップを採用することで、従来のガルウィングリードパッケージと比較して、パッケージ抵抗とインダクタンスを低減しています。要求の厳しい自動車アプリケーションに必要な高性能、品質、堅牢性のために特別に設計されています。

機能

  • 業界最高のオン抵抗、R DS (on)
  • 高速切り替え時間 (ターンオン/オフ)
  • ID電流が前世代比で50％向上
  • タイトな閾値電圧、 VGS(th)の範囲
  • 小型3x3mm 2 SMDパッケージ
  • 高アバランシェ電流能力
  • 高 SOA 堅牢性
  • AEC-Q101
  • 強化された電気テスト
  • パッケージはJEDEC

利点

  • 最小導通損失
  • 優れたスイッチング性能
  • 小さな設置面積、PCB面積を節約
  • 高電力密度
  • 並列配置に最適
  • 自動車向けの品質と堅牢性
  • セカンド ソース サプライヤーの可能性

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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