Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FF800R12KE7P_E

1200 V/800 AハーフブリッジIGBTモジュール (熱伝導材料 (TIM) 塗布済み)
データシート
EA.
個の在庫あり

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FF800R12KE7P_E
FF800R12KE7P_E
EA.
データシート

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    800 A
  • IC (最大)
    800 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.5 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • コンフィギュレーション
    half-bridge
  • パッケージ
    62 mm
  • 寸法 (width)
    61.4 mm
  • 寸法 (length)
    106.4 mm
  • 技術
    IGBT7 - E7
  • 特長
    TIM
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V
推奨
OPN
FF800R12KE7PEHPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 N/A
包装サイズ 8
包装形態 TRAY
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 -
包装サイズ 8
包装形態 TRAY
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
1200 V/800 A TRENCHSTOP™ IGBT7および62 mmエミッター制御ダイオード搭載ハーフブリッジIGBTモジュール

特長

  • 最高レベルの電力密度
  • 同クラスで最も低いVCEsat
  • 過負荷Tvj op = 175°C
  • 高い沿面距離とクリアランス距離
  • 絶縁ベースプレート
  • 標準パッケージ
  • RoHS対応
  • 絶縁性能AC 4 kV/ 1分
  • CTI > 400のパッケージ
  • UL1557 E83336によるUL/CSA認証
  • </

利点

  • 大電流化が可能
  • 3レベル構成のNPC2向け
  • 最高レベルの電力密度
  • IGBTモジュールの並列化の回避
  • システムコストの削減
  • 高い信頼性

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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