CY62187G30-55BAXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62187G30-55BAXI

パッケージ
個.
在庫あり

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CY62187G30-55BAXI
CY62187G30-55BAXI
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    64 MBit
  • アラーム
    N
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リアルタイムクロック
    N
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    4Mb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推奨
OPN
CY62187G30-55BAXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-LFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (001-50044)
梱包サイズ 210
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-LFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (001-50044)
梱包サイズ 210
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62187G30-55BAXIは64-Mbit（4M×16）のMoBL SRAMで、単ビット訂正のECC内蔵とエラー通知用ERRピンを備えます。2.2 V～3.6 V、-40～85°Cで動作し、アクセス時間は55 nsです。自動パワーダウンによりスタンバイ電流は6 µA typ（38 µA max）で、1.0 Vデータ保持に対応。TTL互換I/Oを備え、Pb-free 48ボールVFBGAでデュアルチップイネーブル搭載。

特長

  • 64-Mbit SRAM（4M×16）
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • ERRピンで1ビット通知
  • VCC動作2.2 V～3.6 V
  • 読/書サイクル55 ns
  • OEからデータ有効25 ns
  • 待機6 µA typ/38 µA max
  • CE/BHE/BLEで自動PD
  • BLE/BHEでバイト書込み
  • 非選択時出力はHigh-Z
  • 1.0 Vデータ保持モード
  • TTL互換入出力

利点

  • 16ビットメモリバスに適合
  • ECCでデータ整合性向上
  • ERRで故障監視を簡素化
  • 2.2–3.6 V電源で動作
  • 55 nsで高速SRAMアクセス
  • OE 25 nsで読出し応答短縮
  • µA待機で電池寿命を延長
  • 自動PDでアイドル電力削減
  • バイト書込みで帯域を節約
  • High-Zでバス共有が容易
  • 1.0 V保持でバックアップ節電
  • TTL I/Oで接続が容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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