CY62126EV30LL-55ZSXET
Active and preferred
RoHS対応

CY62126EV30LL-55ZSXET

データシート
パッケージ

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CY62126EV30LL-55ZSXET
CY62126EV30LL-55ZSXET
データシート

製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn;Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    64K x 16
  • 認定
    Automotive
  • 速度
    55 ns
推奨
OPN
CY62126EV30LL-55ZSXET
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62126EV30LL-55ZSXEは1 Mbit（64 K×16）のCMOS SRAMで、バッテリー設計向けに2.2 V～3.6 V、–40°C～+125°C（Automotive-E）で動作します。55 nsアクセス、1 MHzでアクティブ電流1.3 mA（typ）、アドレス非トグル時の自動パワーダウンを搭載。スタンバイ電流は1 µA（typ、最大30 µA）。BLE/BHEでバイト書込み対応、Pbフリー44ピンTSOP II。

特長

  • 1 Mbit SRAM、64K×16構成
  • 45 nsの読出し/書込み周期
  • 2.2 V～3.6 V単一電源VCC
  • 1 MHzで動作電流1.3 mA
  • スタンバイ電流 最大4 µA
  • アドレス静止で自動省電力
  • VCC 1.5 Vまでデータ保持
  • データ保持電流 最大3 µA
  • BLE/BHEでバイト書込み対応
  • CE/OE/BHE/BLEで3ステート

利点

  • 16ビットでMCUアクセス削減
  • 45 nsで高速SRAM接続に対応
  • 2.2–3.6 Vで3 V系に適合
  • 低動作電流で駆動時間延長
  • µA級待機でスリープ消費低減
  • 自動省電力でアイドル損失低減
  • 1.5 Vで深いスリープでも保持
  • 低ICCDRでバックアップ負荷低減
  • バイト書込みで書込み電力削減
  • 3ステートでバス共有・拡張容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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