Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B256J-SXAT

データシート
パッケージ

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CY15B256J-SXAT
CY15B256J-SXAT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    3.4 MHz
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Automotive
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B256J-SXAT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15B256J-SXATは256 Kbit（32K × 8）自動車グレードのシリアルF-RAMで、I2Cインターフェースを備え、1e14回の読み書き耐久性と65°Cで151年のデータ保持を実現します。バス速度でのNoDelay™高速書き込み、2.0 V～3.6 V動作、–40°C～+85°C対応、最大3.4 MHz I2C。動作電流175 μA（100 kHz）、待機150 μA、スリープ8 μA、8ピンSOICパッケージ、RoHS準拠で自動車・産業データロギングに最適です。

特長

  • 256 Kbit不揮発性F-RAM、32K×8構成
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • 1京回の読み書き耐久性
  • NoDelay™即時書き込み
  • I2Cインターフェース最大3.4 MHz
  • 100 kHz、400 kHz、1 MHz対応
  • 低消費電力：動作175μA、スリープ8μA
  • VDD動作範囲2.0 V～3.6 V
  • WPピンによる書き込み保護
  • シュミットトリガ入力で耐ノイズ
  • デバイスIDで製品情報管理
  • 入出力容量最大8 pF

利点

  • 151年の信頼性データ保存
  • 1京回の書き込み耐久
  • 即時書き込みで待ち時間なし
  • 高速I2Cでデータ転送迅速
  • シリアルEEPROMと互換
  • 低消費電力で電池長持ち
  • 2.0 V～3.6 Vで動作
  • 書き込み保護で誤操作防止
  • 耐ノイズで安定動作
  • デバイスIDで管理容易
  • 低容量で高速バス対応
  • 柔軟なタイミング設計

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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