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RoHS準拠
鉛フリー

CY15B104QN-50SXI

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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CY15B104QN-50SXI
CY15B104QN-50SXI
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Excelon™
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    1.8 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    1.8 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    50 MHz
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B104QN-50SXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY15B104QN-50SXIは4Mb EXCELON™ LP強誘電体RAMで、512K×8構成、10^15回の読み書き耐久性、60°Cで151年のデータ保持を実現します。1.8 V～3.6 V動作、–40°C～+85°Cの産業用温度範囲、高速SPI（最大50 MHz）対応。高度な書き込み保護、256バイト専用セクタ、ユニークID、2.3 µAの低消費待機電流を備え、産業システムの頻繁な不揮発性データ記録に最適です。

特長

  • 4-Mb強誘電体RAM、512K×8構成
  • 10^15回の読み書き耐久性
  • 70°Cで151年データ保持
  • SPIインターフェース最大50 MHz
  • SPIモード0/3対応
  • ハード/ソフト書き込み保護
  • 専用256バイト特別セクタ
  • ユニークIDとシリアル番号
  • 動作電流2.4 mA@40 MHz
  • 待機電流2.3 µA（代表値）
  • ディープパワーダウン0.7 µA
  • ハイバネート0.1 µA

利点

  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • 摩耗なし、重要用途に最適
  • 長期データ保持、リフレッシュ不要
  • 高速SPIでシステム設計容易
  • 標準SPIで柔軟に統合
  • データ保護・改ざん防止強化
  • 特殊セクタでリフロー耐性
  • デバイス管理・認証が容易
  • 低消費電力で電池長寿命
  • 待機時の消費電力を低減
  • ディープスリープで待機電力低減
  • ハイバネートで超低消費待機

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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