CY14V101NA-BA25XI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY14V101NA-BA25XI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY14V101NA-BA25XI
CY14V101NA-BA25XI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • メモリ容量
    1 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    64Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns

推奨
OPN
CY14V101NA-BA25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ 598
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ 598
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY14V101NA-BA25XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージをビット単位で組み合わせた、1Mビット (64K×16) の並列nvSRAMです。25 nsのアクセス時間、外部コンデンサーを使用した電源オフ時の自動STORE機能、および電源オン時またはソフトウェアによるRECALL機能をサポートしています。-40℃～85℃の温度範囲で、3.0 V～3.6 VのコアVCCと1.65 V～1.95 VのVI/O VCCQで動作し、48ボールFBGAパッケージで20年間のデータ保持と100万回のSTOREサイクルを実現します。

特長

  • 1 MビットnvSRAM (128Kx8/64Kx16)
  • 25 ns および 45 ns のアクセス時間
  • 電源断時のAutoStore (VCAP)
  • HSBピンまたはソフトウェア経由でSTORE
  • 電源投入時またはソフトウェアによるRECALL
  • データ保持期間: 20年
  • STOREサイクル: 100万回 (QuantumTrap)
  • SRAM読み出し/書き込みおよびRECALLは無制限
  • コアVCC: 3.0 V～3.6 V
  • I/O VCCQ: 1.65 V～1.95 V
  • スタンバイ電流ISB: 最大8 mA
  • 入力リーク電流IIX: 最大 ±1 μA

利点

  • SRAMのような高速ランダムアクセス
  • 電源喪失時の自動バックアップ
  • バッテリーバックアップSRAMの回避
  • チェックポイント用の手動STORE
  • 電源復旧後の状態復元
  • 20年間の保管寿命に対応するデータ保持
  • 頻繁な不揮発性保存操作に対応する耐久性
  • 通常のSRAM使用における摩耗なし
  • 標準的な3.3 Vコア電源レールに適合
  • 1.8 Vロジックレベルへのインターフェース
  • スタンバイ時の待機電力低減
  • 低リークによるバス負荷低減

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ