CY14V101NA-BA25XI

データシート

パッケージ

CY14V101NA-BA25XI

EA.

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2033
Density

1 MBit
インターフェース

Parallel
ピークリフロー温度

260 °C
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度 (範囲)

-40 °C ～ 85 °C
動作電圧 (範囲)

2.7 V ～ 3.6 V
組織 (X x Y)

64Kb x 16
認定

Industrial
速度

25 ns

	推奨
OPN	CY14V101NA-BA25XI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TFBGA-48
パッケージ名	FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ	598
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS準拠	Yes
Infineon stock last updated:		EA. 個の在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TFBGA-48
パッケージ名	FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ	598
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

EA.

個の在庫あり

CY14V101NA-BA25XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージをビット単位で組み合わせた、1Mビット (64K×16) の並列nvSRAMです。25 nsのアクセス時間、外部コンデンサーを使用した電源オフ時の自動STORE機能、および電源オン時またはソフトウェアによるRECALL機能をサポートしています。-40℃～85℃の温度範囲で、3.0 V～3.6 VのコアVCCと1.65 V～1.95 VのVI/O VCCQで動作し、48ボールFBGAパッケージで20年間のデータ保持と100万回のSTOREサイクルを実現します。

特長

1 Mbit nvSRAM(128Kx8/64Kx16)
25 ns/45 nsアクセス時間
電源断でAutoStore(VCAP)
HSB端子/ソフトでSTORE
電源投入/ソフトでRECALL
データ保持20年
QuantumTrap 100万回STORE
SRAM R/WとRECALL無制限
コアVCC 3.0 V～3.6 V
I/O VCCQ 1.65 V～1.95 V
スタンバイISB最大8 mA
入力リークIIX最大±1 µA

利点

SRAMのような高速ランダムアクセス
電源喪失時の自動バックアップ
バッテリーバックアップSRAMの回避
チェックポイント用の手動STORE
電源復旧後の状態復元
20年間の保管寿命に対応するデータ保持
頻繁な不揮発性保存操作に対応する耐久性
通常のSRAM使用における摩耗なし
標準的な3.3 Vコア電源レールに適合
1.8 Vロジックレベルへのインターフェース
スタンバイ時の待機電力低減
低リークによるバス負荷低減

用途

デザインリソース

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CY14V101NA-BA25XI

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