Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

BFP840ESD

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BFP840ESD
BFP840ESD
EA.
データシート

Product details

  • fT
    80 GHz
  • Gmax
    27 dB @900 MHz
  • IC max
    35 mA
  • NFmin
    0.60 dB @900 MHz
  • OIP3
    21 dBm
  • OP1dB
    4.5 dBm
  • Ptot
    75 mW
  • VCEO max
    2.25 V
推奨
OPN
BFP840ESDH6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
SOT343
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
SOT343
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The BFP840ESD is a discrete hetero-junction bipolar transistor (HBT) specifically designed for high performance 5 GHz band.

機能

  • Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power, 1.5kV HBM ESD hardness
  • High transition frequency fT = 80 GHz to enable  low noise figure at high frequencies: e.g. Nfmin = 0.85 dB at 5.5 GHz, 1.8 V, 6 mA
  • High gain Gms = 22.5 dB at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
  • OIP3 = 22 dBm at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
  • Suitable for low voltage applications e.g. VCC = 1.2 V and 1.8 V (2.85 V, 3.3 V, 3.6 V require a corresponding collector resistor)

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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